SiC晶须（SiCW）生产技术
                     (2006-11-27)  
             
             
                 应用行业：材料 技术领域：冶炼技术 主要内容     采用自行研制的多热源—无限微热源炉合成SiC技术，利用廉价的工业原料低成本合成SiCw，不但克服了传统技术原料昂贵、生产工艺复杂、产率低、生产成本高等不足，而且生产的晶须β相含量高，直晶率高，异型晶少，晶体表面洁净，长径比大，产量大，产品质量有明显提高。 技术要点      主要技术指标 晶须直径：0.1~1.00µm 晶须长度：10~100µm晶须长径比：＞10 晶须形貌：光滑直晶 晶须中SiC含量：＞99.9% 晶须密度：3.2g/cm3 应用情况及前景     年产5吨SiC晶须，产值1750万，实现利润约1000万元。